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国产存储芯片迎难而上,五年之后将影响全球市场

受到新型冠状病毒影响,国产存储厂商的设备验收及装机将会受到一定程序的影响,预期长江存储美国/日本/欧洲的半导体设备移入将延迟数月,加之合肥长鑫、长江存储等国内大厂量产初期,良率不佳,因此国产存储在2019年难以有重要突破。

不过,由于2019年国产的内存及闪存都取得了重要进展,长江存储量产了64层堆栈3D闪存,合肥长鑫量产了DDR4内存。另外,紫光也会在2021年进军内存市场,因此未来国产存储还是有很大的发展前景的。

目前,国金证券预估国产存储在全球存储器DRAM+NAND半导体市场份额在 2022年应该不会超过 5%,但到2025年预计可达12%。也就是说5年后,国产的内存及闪存才能在全球市场上拿下10%以上的份额,相比现在会有质的提升。

不过,国内公司设计及制程工艺技术与国际大厂仍有几个世代的差距,比如长江存储的 64层 NAND vs. 三星/海力士/Kioxia/ 镁光的 96/112/128层 NAND,合肥长鑫的 1x DRAM vs. 三星/海力士/ 镁光的 1z DRAM,而造成其品质,规格种类,数量,成本及其价格均不具市场竞争力。因此,从总体来看国产闪存、内存依然是少数派,对市场的影响恐怕还会远远落在三星、美光、东芝等公司之后。

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